Le démontage du Samsung Galaxy S10 confirme le stockage UFS 2.1 alors que le Galaxy Fold prend en charge UFS 3.0

Il ne reste que cinq jours avant la mise en vente des Samsung Galaxy S10, S10 + et S10e aux États-Unis, en Europe, en Inde et sur d'autres marchés du monde. En termes de matériel interne, les téléphones se déclinent en deux variantes: une variante Qualcomm Snapdragon 855 pour les États-Unis, la Chine et l'Amérique latine et une variante Exynos 9820 pour le reste du monde. Une chose que nous ignorions jusqu'à présent était la spécification de stockage des téléphones. Samsung utilise le stockage UFS depuis le Samsung Galaxy S6 et les téléphones 2018 de la société utilisaient la norme UFS 2.1 NAND. L'année dernière, quelques rumeurs ont prétendu que la série Galaxy S10 disposerait d'un stockage UFS 3.0, mais un démontage de TechInsights révèle que la rumeur n'a pas abouti .

TechInsights a procédé au démontage du Samsung Galaxy S10 + d’Exynos (SM-G975F). La firme a découvert que ni le Galaxy S10 + ni le Galaxy S10 n’ont de stockage UFS 3.0. Cette spécification est réservée pour le moment au très haut de gamme Samsung Galaxy Fold, qui sortira en avril. Notamment, le tableau des spécifications officielles de Samsung pour le Galaxy Fold encourage spécifiquement l'inclusion du stockage UFS 3.0, tandis que le tableau des spécifications officielles du Galaxy S10 ne dit rien sur les spécifications UFS du téléphone.

TechInsights indique que la société a découvert que le Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, un NAND 128 Go UFS 2.1 de Samsung, était présent dans le Samsung Galaxy Note 9 ainsi que dans de nombreux autres téléphones.

Source: Samsung

De manière prévisible, UFS 3.0 offre des performances plus rapides que UFS 2.1. La nouvelle NAND de 512 Go eUFS 3.0 (février 2019) annoncée par Samsung offre des vitesses de lecture séquentielles pouvant atteindre 2100 Mo / s (x2.10), des vitesses d’écriture séquentielle jusqu’à 410 Mo / s (x1, 58), des vitesses de lecture aléatoire de 63 000 IOPS (x1. 09) et des vitesses d’écriture aléatoires de 68 000 IOPS (x 1, 36). Ces chiffres sont plus rapides que le dernier NAND eUFS 2.1 (janvier 2019) 1 To. Ils peuvent être comparés dans le tableau présenté ci-dessus.